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Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
Impedancia de salida: 1000 Ohms
NO incluye baterías
Corriente (comunicado): 8mA
IRF530N Transistor MOSFET 320 Tensión drenaje-fuente Vds: 200 VEl transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinacin de conmutacin rpida, el diseo de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relacin costo efectividad. Polaridad del transistor: NPN Intensidad drenador continua Id: 14 A Tensin drenaje fuente Vds: 100 V Resistencia de activacin Rds(on): 110mohm Tensin Vgs de medicin Rds(on): 100 V Tensin umbral Vgs: 2 V Disipacin de potencia Pd: 55 W Temperatura de
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